近日,中國新型圖案化光刻領域的領軍企業(yè)廣州奧視技術有限公司(以下簡稱“奧視”)宣布完成超億元B輪融資。本輪融資由多家戰(zhàn)略投資者和知名產(chǎn)業(yè)基金共同投資。所募資金將重點用于建設年處理6萬片12英寸晶圓K2工廠,加快實現(xiàn)新型圖案化工藝在Micro OLED(硅基OLED)和Micro LED領域的產(chǎn)業(yè)化。
綜合行業(yè)最新發(fā)展動態(tài),硅基OLED的制造工藝已經(jīng)收斂到白光+彩膜(WOLED)和無金屬掩膜圖案化光刻兩條技術路徑,前者以日本索尼和剛剛上市的合肥視涯為代表,后者以韓國三星和廣州奧視為代表。此外,維信諾在合肥建設的8.6代線也采用了無金屬掩膜圖案化光刻工藝。Micro LED目前還存在多種技術路徑,其中市場最看好的量子點和垂直堆疊技術方案都采用了12英寸晶圓的新型圖案化光刻工藝。
值得注意的是,過去圖案化光刻工藝主要應用于半導體制造領域的金屬和無機物刻蝕,而新型圖案化光刻工藝近年來發(fā)展非常快,例如以上提到的無金屬掩膜圖案化工藝本質上屬于有機圖案化光刻技術范疇,其應用范圍已經(jīng)從新型顯示擴展到了先進封裝、HBM、CPO等AI相關的半導體關鍵工藝層中,而且又衍生出了異質圖案化光刻等新技術。
新型圖案化光刻不是對傳統(tǒng)半導體光刻工藝的替代,而是解鎖傳統(tǒng)半導體光刻工藝的局限性。傳統(tǒng)半導體光刻工藝的發(fā)展方向是支持更先進的工藝制程,而存算一體化、超高帶寬、2.5D/3D封裝等半導體新技術對制造工藝提出了不同的路徑需求。
正在蓬勃發(fā)展的半導體有機、異質圖案化光刻技術?采用了創(chuàng)新的過程材料和工藝材料,支持全新的器件結構、刻蝕對象、基板材料和基板尺寸,有效滿足了半導體制造工藝的持續(xù)升級。同時,由AI算力需求驅動的新型圖案化光刻工藝的發(fā)展也給中國的半導體工藝、設備、材料和檢測廠商帶來了重要的發(fā)展機遇。
據(jù)了解,奧視所布局的產(chǎn)線規(guī)劃覆蓋了新型半導體圖案化光刻工藝在Micro OLED/LED和先進封裝等多個領域的產(chǎn)業(yè)化,其中K2廠計劃在2027年Q4建成投產(chǎn),主要生產(chǎn)亮度高達2萬尼特的第二代硅基OLED屏和先進封裝RDL載板。
來源:廣州奧視
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