浙江
據業內消息，SK hynix 已完成其 375 層 NAND 閃存產品的驗證工作，預計將在 2026 年底前正式在現有工廠中投入量產，以滿足不斷增長的存儲容量需求。 這些工廠目前主要生產的是 321 層 V9 NAND 閃存，未來將通過工藝轉換來支持更高層數的堆疊解決方案。
在 NAND 閃存堆疊層數的競賽中，SK hynix 與三星正展開激烈比拼。 三星此前已透露將通過雙堆疊方案將 V-NAND 層數推升至 400 層以上，并已展示最高可達 900 層、并以 1000 層為目標的技術路線圖，而 SK hynix 則選擇以 375 層產品作為階段性節點切入量產。
據了解，SK hynix 內部最初將這一代產品定位為“400 層級” NAND，但在實際工藝開發過程中，由于在同一芯片內堆疊過多層數時遇到嚴重的工藝與信號傳輸難題，最終將設計修正為 375 層。 行業人士透露，原本規劃中的 400 層級產品被調整為 375 層，而后續路線圖則延伸至 480 層和 604 層等更高堆疊的產品節點。
要繼續向 480 層、604 層等更高堆疊邁進，單靠現有材料體系已經難以為繼。 報道指出，SK hynix 需要在關鍵導電材料上進行重大調整，逐步放棄目前普遍采用的鎢（Tungsten）薄膜，轉而采用鉬（Molybdenum）作為新的互連材料，以應對高層數堆疊帶來的電阻與信號完整性挑戰。
在高層數 3D NAND 結構中，隨著垂直方向導線和通道尺寸不斷縮小，鎢的電阻難以控制，信號傳輸損耗和延遲問題愈發突出，成為繼續增加堆疊層數的“材料天花板”。 與之相比，鉬在高電阻環境下具有更優的性能表現，能夠在更窄的布線條件下保持較好的導通特性，因此被視為突破高層堆疊限制的關鍵材料之一。
三星已經在其部分 NAND 工藝中率先導入鉬材料，并計劃在今年進一步優化其 V-NAND 生產流程，推出首批 400 層級產品，以鞏固其在高端存儲市場的領先地位。 SK hynix 則將在跟進更高層數產品時同步完成從鎢到鉬的材料切換，以縮小與競爭對手在技術路線上的差距。
隨著 AI、云計算、高性能終端與企業級數據中心對存儲容量和性能需求持續攀升，3D NAND 層數的不斷提升被視為提升單顆芯片比特密度、降低單位存儲成本的關鍵方向。 然而，這也意味著晶圓廠需要投入更多資金采購新材料、升級設備與轉換產線，以支撐更高復雜度的堆疊與加工流程。
以鉬為例，其需求量在近幾年顯著增長，已成為 NAND 供應鏈中的重要原材料之一。 報道稱，三星去年采購了約 4 噸鉬，今年迄今為止的采購量已增至約 10 噸，而隨著 SK hynix 等廠商導入鉬，預計今年其用量也將達到約 4 噸。
產業機構預測，隨著 400 層級及更高層數 NAND 進入量產階段，鉬的市場需求將快速攀升：到 2027 年預計將達到 25 噸，2028 年增至 40 噸，2029 年約為 60 噸，并在 2030 年左右進一步攀升至 80 噸規模。 在這一過程中，材料供應、成本控制與技術迭代將共同決定 NAND 廠商在高層堆疊時代的競爭格局。
對于 SK hynix 而言，375 層 NAND 的量產不僅是對其工藝能力的階段性驗證，也是向 480 層、604 層乃至更高層數演進的技術跳板。 如何在保持良率與成本之間取得平衡，同時順利完成從鎢到鉬等關鍵材料的遷移，將直接影響其在與三星等競爭對手的角逐中能否占據有利位置。
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