北京
【CNMO科技消息】隨著端側AI對算力和數(shù)據(jù)吞吐能力的需求不斷提升，智能手機內(nèi)存技術正成為行業(yè)關注的新焦點。近日有消息稱，一種名為LLW（低延遲寬DRAM）的新型內(nèi)存方案正在受到關注，其設計思路借鑒了高帶寬內(nèi)存（HBM）的集成方式，目標是在智能手機有限空間內(nèi)提升AI運算效率。
華為手機
據(jù)了解，由于HBM對封裝和散熱要求較高，目前很難直接應用于智能手機產(chǎn)品。因此，LLW被視為一種兼顧性能與落地可行性的替代方案。雖然它并非嚴格意義上的HBM，但通過更加緊密的集成設計，有望突破傳統(tǒng)LPDDR內(nèi)存帶寬和延遲方面的限制，從而滿足未來手機端側AI的發(fā)展需求。
根據(jù)數(shù)碼博主透露的信息，國內(nèi)手機廠商短期內(nèi)或難以在新一代內(nèi)存技術上實現(xiàn)大規(guī)模商用，但相關產(chǎn)品有望在2027年下半年迎來進展。其中，小米和華為被認為是潛在的推動者之一。
從目前流出的消息來看，LLW理論上能夠在降低約50%功耗的同時，實現(xiàn)約1.5倍的性能提升。不過，相關數(shù)據(jù)的具體對比對象并未被明確說明，因此實際表現(xiàn)仍有待后續(xù)驗證。
圖源網(wǎng)絡
業(yè)內(nèi)普遍認為，隨著手機端側AI模型規(guī)模不斷擴大，僅依靠提升處理器性能已難以滿足需求，內(nèi)存系統(tǒng)正成為影響體驗的重要環(huán)節(jié)。相比單純升級NPU或存儲方案，更高帶寬、更低延遲的內(nèi)存架構被視為未來突破方向之一。
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