北京
via：墓碑科技
Nvidia 已經不滿足于只買內存了。
它開始親自動手設計。
剛剛，三星與 Nvidia 宣布結盟。
雙方要聯手研發下一代 NAND 閃存。
這次用的是鐵電 NAND 技術。
最恐怖的是研發手段：AI 驅動模擬。
速度比傳統的 TCAD 仿真快了整整10,000倍。
什么概念？
過去需要幾個月甚至幾年的迭代，現在可能幾天就跑完了。
結果同樣驚人：功耗直接降低96%。
存儲戰爭正在進入垂直整合時代。
算力巨頭向上游滲透，直接定義底層硬件邏輯。
這意味著什么？
未來的存儲芯片將不再是通用商品，而是為 AI 架構量身定制的插件。
在這種降維打擊下，固守傳統模式的廠商還有活路嗎？
當效率提升一萬倍，功耗縮減到零頭，這種技術鴻溝將徹底重塑全球半導體版圖。
那些依然沉迷于產能內卷而非架構創新的玩家，恐怕連上桌的機會都沒有了。
新聞全文：
業內人士證實，三星電子已與英偉達合作，加速下一代NAND閃存芯片的研發。
三星與英偉達聯合開發了一套人工智能系統，該系統能夠顯著加快基于鐵電材料的超低功耗NAND閃存的研發——這項技術將決定人工智能芯片的性能。此舉體現了兩家公司在引領全球人工智能半導體蓬勃發展的同時，力求在下一代芯片競爭中保持技術領先地位的努力。
據業內人士12日透露，三星電子半導體研究院、英偉達和佐治亞理工學院的聯合研究團隊開發了一種名為“物理信息神經網絡算子（PINO）”的模型，其分析鐵電NAND器件性能的速度比傳統方法快1萬倍以上。該研究成果已在全球范圍內發布。
鐵電材料是一種新型物質，無需持續的電輸入即可維持極化狀態（即正負電荷的分離）。由于鐵電材料能夠以極低的功耗高效存儲信息，因此將其應用于NAND閃存器件的研究一直十分活躍，其中三星電子處于領先地位。鐵電NAND指的是使用鐵電材料而非傳統硅材料制造的NAND閃存。
鐵電NAND的商業化需要后續研究，通過計算機模擬精確分析并改進材料性能特征，例如閾值電壓和數據保持能力。半導體行業廣泛使用的分析工具——技術計算機輔助設計（TCAD）通常每次操作需要60小時，限制了研究速度。三星和英偉達的研究團隊利用基于物理定律訓練的人工智能，成功地將操作時間縮短到10秒以內。
基于研究成果，三星電子將與最大的內存客戶英偉達合作，共同推進鐵電NAND閃存的商業化開發，這預示著雙方未來的發展方向。去年底，三星在國際期刊《自然》上發表了其鐵電NAND閃存技術，該技術與傳統NAND閃存相比，功耗降低了96%，標志著一項重大的行業創新。
根據韓國知識產權局的數據，韓國在全球鐵電專利份額中位列前五，占比43.1%，其中三星電子的份額為27.8%。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
