追趕三星、海力士，國產存儲雙雄競逐上市

存儲超級周期下，國產NAND閃存龍頭企業長江存儲提交IPO上市輔導備案，正式開啟上市進程

文｜《財經》研究員 康國亮

編輯｜楊秀紅

繼長鑫科技之后，“國產存儲雙雄”之一的長江存儲（全稱“長江存儲控股股份有限公司”）也正式開啟上市進程。

5月19日，根據證監會官網，長江存儲發布首次公開發行股票并上市輔導備案報告，輔導機構為中信證券和中信建投證券。

資料來源：證監會官網

據胡潤研究院發布的《2025全球獨角獸榜》，長江存儲彼時以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第九，與滴滴估值相當。國盛證券等多家機構預測其IPO（首次公開募股）估值約3000億元。

備案報告顯示，長江存儲成立于2016年12月21日，注冊資本178.20億元，法定代表人為陳南翔。

公開資料顯示，長江存儲是中國3D NAND閃存領域的龍頭企業，與專注于DRAM領域的長鑫科技并稱“國產存儲雙雄”。據了解，NAND閃存主要用于消費電子的存儲硬盤，而DRAM則主要用于消費電子的運行內存，二者是兩類主流的存儲芯片。

“長鑫科技和長江存儲是中國存儲芯片的兩大支柱，一個主攻DRAM、一個主攻NAND閃存，肩負著中國在存儲芯片領域自主可控的歷史性任務，現在它們正處于產業周期、業績釋放以及IPO上市三重因素的最佳窗口期。”一位機構投資者對《財經》表示。

根據官網顯示，長江存儲業務集芯片設計、生產制造、封裝測試及系統解決方案產品于一體，是存儲芯片IDM（設計制造一體化）企業。其為客戶提供包括3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

根據IPO前的股東結構顯示，與長鑫科技類似，長江存儲亦無控股股東，但背后站著武漢國資以及國家大基金。其第一大股東為湖北長晟發展有限責任公司，直接持有長江存儲26.54%的股份。第二大股東為武漢芯飛科技投資有限公司，持有25.35%股份。國家集成電路產業投資基金股份有限公司、國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司分別為長江存儲第三、第四大股東，分別持有11.97%、11.38%股份。此外，武漢光谷產業投資有限公司、湖北國芯產業投資基金合伙企業、長江產業投資集團有限公司等國資亦為長江存儲的股東。

技術層面，長江存儲成立以來進展迅速，今年有望量產300層NAND產品，對標三星等海外存儲巨頭。截至目前，長江存儲已在武漢、北京等地設有研發中心，全球共有員工8000余人，其中研發工程技術人員6000余人。

目前，全球主要的NAND IDM 原廠包括三星、SK海力士、鎧俠、美光等海外存儲巨頭，長江存儲作為國產NAND廠商，正在這一領域快速追趕國際競爭對手，實現國產NAND閃存自主可控。

根據TrendForce（集邦咨詢）數據顯示，2025年三季度在NAND閃存市場上，三星、SK海力士（含Solidigm）、鎧俠、美光、閃迪的市場份額分別為32.3%、19.0%、15.3%、13.0%、12.4%，長江存儲以7.3%的市場份額排名第六。

事實上，長江存儲和長鑫科技兩大存儲巨頭IPO上市正好趕上了全球人工智能浪潮引發的存儲超級周期，使得全球存儲芯片原廠邁入了歷史罕見的“暴利”時代。

此前，5月17日，長鑫科技更新科創板IPO招股書顯示，其預計2026年上半年營業收入將達到1100億元至1200億元，同比增長612.53%至677.31%；實現歸屬于母公司所有者的凈利潤為500億元至570億元，同比變動2244.03%至2544.19%；扣非后歸母凈利潤則為520億元至580億元，同比變動2278.89%至2530.3%。

業內預計，長江存儲將同樣受益于NAND存儲芯片價格大幅上漲，業績呈現爆發式增長。據業內人士透露，“長江存儲在今年一季度收入已超過200億元，同比上年翻倍增長，其NAND芯片產量已超過全球市場的10%份額，逼近全球第三。”

同時，強勁的盈利能力，也讓市場對國產存儲龍頭企業IPO后的市值充滿了期待。此前，市場預計長鑫科技IPO后的市值或將至少達到1萬億元至3萬億元市值級別。

同時，市場也普遍看好這一輪人工智能浪潮在未來數年內對存儲行業景氣度的拉動。根據TrendForce數據顯示，2026年一季度，傳統DRAM合約價累計上漲93%-98%，NAND Flash（閃存）合約價也累計上漲85%-90%，創近五年單季最大漲幅。二季度價格還在加速上漲，預計傳統DRAM將繼續上漲58%-63%，NAND Flash上漲70%-75%。

高盛認為，全球存儲芯片市場正面臨過去15年來最嚴重的供應短缺，2026年DRAM、NAND閃存和HBM（高帶寬內存）的供需缺口分別達4.9%、4.2%和5.1%，均為歷史新高。其大幅上調2026年存儲芯片價格預測，預計DRAM全年漲幅達250%-280%，NAND閃存漲幅達200%-250%，預計存儲芯片短缺至少延續至2027年，部分高端產能可能持續到2028年。

責編 | 陳湘

題圖來源 | 視覺中國