《科創板日報》6月2日訊 在今日舉行的Computex 2026電腦展上,三星電子首次展示了第八代高帶寬存儲芯片HBM5,并首次公開推出了HPB(Heat Pass Block,導熱塊)散熱方案。
據《朝鮮日報》等韓媒報道,三星電子計劃使用其自主研發的2nm工藝制造的芯片生產HBM5,預計將在2028年左右實現量產。而HPB將是大規模應用于其中的核心熱管理技術,
具體而言,HPB是一種集成在芯片封裝內的金屬導熱結構,通常由銅基材料制成,其導熱性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出約500至1000倍。
“通過增加一個類似煙囪結構的獨立傳熱路徑,我們降低了芯片運行溫度,提高了運行穩定性,”三星電子首席技術官宋載赫表示:“預計未來它將在高帶寬、高密度人工智能環境下,對提升下一代HBM的性能和系統效率發揮關鍵作用。”
宋載赫聲稱,HPB技術已在HBM4E芯片中得到應用和驗證,其可靠性和穩定性均已得到充分驗證。
值得一提的是,作為技術驗證的必要環節,此前三星電子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技術,可使該處理器的散熱性能相比上代提升30%,意味著該散熱技術擁有進入移動處理器市場的潛力。
而眼下,AI基礎設施散熱需求正盛,多種熱管理技術在存儲領域相繼涌現。
5月26日,SK海力士推出iHBM解決方案,通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件“ICE”,以降低產品運行時的發熱量。該技術同樣將應用于HBM5等下一代產品。SK海力士表示:“該技術與客戶現有SiP系統級封裝環境具備高度設計兼容性,客戶無需進行大規模設計改動,即可直接部署。”
三星電子和SK海力士,為何紛紛革新HBM散熱技術?
機構指出,HBM5架構雖然能夠以更高的速度處理更大的數據量,但也會導致內部發熱量急劇增加。特別是負責HBM與外部GPU之間超高速數據傳輸的D2D PHY(芯片間物理層),被認為是芯片內部的主要熱源之一。而HPB和iHBM的特點是在 D2D PHY 區域內具有獨立的散熱路徑,從而改善熱傳導和散熱,降低熱阻并增強系統穩定性。
在散熱技術集體升級的預期下,HBM或仍維持供不應求局面。根據TrendForce集邦咨詢最新研究指出,三大原廠的HBM年度議價機制,導致HBM合約價無法及時反映市場的季度漲價趨勢。隨著時序進入2Q26,買賣雙方正在對2027年的主流產品HBM4供應進行談判。TrendForce集邦咨詢認為,基于DRAM供不應求市況、新舊世代HBM的高制造難度及高成本,三大原廠將于2027年大幅調高HBM的報價。
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