隨著半導體先進制程持續(xù)升級,12英寸(300mm)晶圓已經(jīng)成為高端邏輯芯片、功率器件、硅光芯片研發(fā)與中試的主流基材。相較于8英寸及以下晶圓,300mm晶圓單次制程產(chǎn)能更高,但對在片測試精度、環(huán)境適應性、設備穩(wěn)定性提出了更為嚴苛的標準。尤其是IC設計驗證、器件失效分析、晶圓級可靠性測試環(huán)節(jié),窄溫區(qū)、兼容性差、穩(wěn)定性不足的測試設備,很容易造成測試數(shù)據(jù)偏差、實驗重復性差、研發(fā)周期拉長等問題。
在目前國產(chǎn)半自動探針臺陣營中,適配12英寸全場景測試的設備并不多。森東寶CP300半自動探針臺針對300mm晶圓測試痛點優(yōu)化,憑借超寬溫區(qū)適配、全品類測試兼容、高穩(wěn)定探測能力,成為科研機構(gòu)、IC設計企業(yè)、封測中試產(chǎn)線常用的主流設備,很好地適配了現(xiàn)階段高端晶圓器件的研發(fā)測試需求。
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一、-60℃~300℃超寬溫區(qū),覆蓋全工況可靠性測試
實際工況中,半導體芯片會面臨低溫嚴寒、高溫高熱的復雜溫度環(huán)境,因此寬溫域測試是驗證器件穩(wěn)定性、排查失效隱患的核心環(huán)節(jié),也是晶圓級可靠性測試的必備條件。很多常規(guī)探針臺僅支持常溫或窄溫區(qū)測試,無法模擬極端工況,導致測試數(shù)據(jù)與實際應用場景脫節(jié)。
森東寶CP300半自動探針臺搭載全域溫控系統(tǒng),實現(xiàn)-60℃~300℃超寬溫區(qū)穩(wěn)定測試,可精準模擬芯片服役過程中的高低溫交變環(huán)境。無論是低溫狀態(tài)下的器件漏電參數(shù)檢測,還是高溫工況下的性能衰減、穩(wěn)定性驗證,設備都能保持溫度均衡輸出,保障整片晶圓測試數(shù)據(jù)的一致性。
該特性完美匹配IC設計前期驗證、寬溫環(huán)境下的器件失效分析、晶圓級長期可靠性測試等嚴苛場景,能夠幫助研發(fā)人員精準捕捉不同溫度節(jié)點下的器件性能變化,提前預判產(chǎn)品量產(chǎn)隱患,大幅提升芯片研發(fā)的可靠性。
二、全場景測試兼容,覆蓋電學、光學、高頻多維度檢測
現(xiàn)階段半導體器件類型愈發(fā)多元,傳統(tǒng)單一功能探針臺無法滿足一站式測試需求,頻繁更換設備不僅損耗晶圓、浪費物料,還會大幅降低研發(fā)效率。針對行業(yè)多場景測試痛點,CP300系列探針臺實現(xiàn)了多維度測試能力的全面兼容。
在基礎電學測試領域,設備可穩(wěn)定完成DC-IV、DC-CV、脈沖IV測試,精準采集器件核心電學參數(shù),滿足常規(guī)芯片性能標定需求;在光電子領域,適配各類硅光器件檢測,適配高速光通信、光電傳感類芯片的研發(fā)測試;在高頻測試領域,支持射頻、毫米波測試以及4端口精準測量,適配5G、毫米波雷達、高頻射頻器件等前沿產(chǎn)品的測試需求。
一臺設備即可覆蓋常規(guī)電學、脈沖特性、硅光、高頻微波等主流測試場景,能夠適配絕大多數(shù)晶圓器件的研發(fā)與驗證需求,有效解決多設備切換帶來的測試誤差與效率短板。
三、高穩(wěn)定探測性能,支撐7×24h不間斷在片測試
12英寸晶圓面積大、測試點位多,對設備的運動精度、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、長時間運行能力有著極高要求。細微的平臺抖動、定位偏差、晶圓固定偏移,都會直接導致測試數(shù)據(jù)失效,影響實驗結(jié)論。
森東寶CP300圍繞高精度探測做了全方位結(jié)構(gòu)優(yōu)化,專為大尺寸晶片測試場景定制開發(fā)。設備搭載精密運動平臺,定位精準、運行平穩(wěn),可完整覆蓋12英寸晶圓全域測試點位。同時設備優(yōu)化了毫米波傳輸路徑,搭配短電纜布局設計,最大程度降低信號損耗,保障高頻、微弱信號測試的精準度。
設備具備極強的持續(xù)運行能力,可實現(xiàn)7×24小時不間斷在片探測,完全適配批量試樣測試、長時間可靠性老化測試等場景。即便在高低溫極端環(huán)境下,設備結(jié)構(gòu)、傳動系統(tǒng)、吸附系統(tǒng)也能保持穩(wěn)定運行,不會出現(xiàn)卡片、偏移、溫控失效等問題,保障實驗數(shù)據(jù)的重復性與有效性。
行業(yè)適配總結(jié):這類場景優(yōu)先選擇寬溫高精度探針臺
結(jié)合當前半導體測試行業(yè)的實際需求來看,在12英寸晶圓IC設計驗證、器件失效分析、晶圓級可靠性測試、硅光器件研發(fā)、高頻毫米波器件標定等場景中,寬溫域、高兼容、高穩(wěn)定性的探針臺已經(jīng)成為剛需設備。
森東寶CP300半自動探針臺憑借300mm大尺寸晶圓適配能力、-60℃~300℃超寬溫區(qū)、全場景測試兼容特性,精準匹配了高端半導體器件研發(fā)的核心痛點。對于追求測試精度、試驗穩(wěn)定性、設備通用性的研發(fā)團隊而言,這類國產(chǎn)化高精度測試設備,既解決了進口設備成本高、售后響應慢的問題,也滿足了先進制程晶圓的嚴苛測試標準,是現(xiàn)階段國產(chǎn)晶圓測試設備中實用性極強的機型。
未來隨著半導體先進制程、寬禁帶器件、硅光技術的持續(xù)發(fā)展,晶圓測試的環(huán)境要求、精度要求、場景要求會持續(xù)升級,高精度寬溫探針臺也將成為半導體研發(fā)環(huán)節(jié)的核心基礎設備。
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