日賺近4億！長鑫科技IPO過會：中國版海力士的“逆襲奇跡”

日賺近4億！長鑫科技IPO過會：中國存儲芯片的“逆襲奇跡”，才剛剛開始

從年虧百億到日賺近4億，長鑫科技只用了不到三年。295億募資、半年極速過會、市值沖擊兩萬億——這不是數字游戲，這是中國存儲芯片產業用“真刀真槍”打出來的翻身仗。

5月27日，上交所一紙公告，長鑫科技科創板IPO獲上市委審議通過。從2025年12月底受理，到2026年5月底過會，不到半年時間，這家國產DRAM龍頭跑出了科創板罕見的“加速度”。

這不是一家公司的事。如果把中國存儲芯片產業比作一臺剛剛啟動的發動機，長鑫科技就是那顆最先點火的氣缸——它點燃的，是整個賽道的“國產替代”之火。而留給中國芯片產業的核心命題也清晰浮出水面：超級周期還能撐多久？國產替代的天花板在哪里？萬億市值的光環背后，真正的底牌又是什么？

日賺近4億的“印鈔機”：18個月，從年虧百億到單季凈賺247億

4月，長鑫科技在一季度交出了一份讓市場窒息的最新財報：單季營收508億元，同比暴增719.13%；歸母凈利潤247.62億元，同比暴增1688.30%。平均下來，每天凈賺近4億。這組數據，同期甚至超過了整個科創板605家上市公司的歸母凈利潤總和。

而就在兩年前，這家公司還在巨額虧損的泥潭中掙扎。2023年，長鑫科技虧損高達163.4億元，有媒體直呼它是“碎鈔機”。不到三年時間，從“巨虧百億”到“日賺數億”，這場逆轉來得又快又猛。

乘上AI超級周期的翅膀，是長鑫科技業績爆發的核心動能。一季度DRAM合約價漲幅被大幅上修至93%~98%，AI驅動的算力需求直接傳導至“存力”市場，長鑫科技的產能被搶得滿檔滿載。

展望2026年上半年，長鑫科技預計營收將達1100億至1200億元，歸母凈利潤500億至570億元，全年凈利潤大概率突破千億大關。

一個時代的隱喻：長鑫科技，代表的是國產替代正從“講故事”切換到“賺大錢”

放在十年前，“中國存儲芯片”這個詞，本身就是一段勵志劇本。彼時，全球DRAM市場被三星、SK海力士、美光三家牢牢壟斷，合計份額一度超過95%。

直到長鑫科技在2019年實現DDR4內存芯片量產，中國DRAM產業才撕開了一道口子。七年后的今天，長鑫存儲全球DRAM營收份額已增長至約7.7%，晶圓產能份額約達8%，穩居全球第四位。它已是中國第一大DRAM廠商，在國內市場占有約40%的份額。

長鑫科技的崛起，打破了三星、海力士、美光“三足鼎立”的全球格局。全球第四的地位，之于中國DRAM的過往歷史，無異于一場“從零到一”的陣痛與破局——從無到有、從小到大的敘事，正在這片土地上長出真正的身軀。

在資本市場，長鑫科技擬募資295億元，是科創板史上僅次于中芯國際的第二大IPO項目。但這只是一個起點。有分析機構預測，依托亮眼的盈利基本面和科創板的估值體系，長鑫科技上市后總市值有望沖擊2萬億至3萬億元區間，與中芯國際和寒武紀等巨頭并駕齊驅，成為A股科技板塊又一“核心資產”。

市場對硬科技的定價不會騙人——技術突圍，正以前所未有的想象力，重構國產芯片在資本市場上的價值標尺。

IPO只是發令槍：295億募資背后，是一場全產業鏈的“加速跑”

長鑫科技的IPO，不僅是融資。295億元募資將精準投向三大方向——量產線技術升級、DRAM技術升級，以及前瞻技術研發。

根據募資計劃，這筆資金的核心投向是三大方向：75億投向存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目，130億主攻DRAM存儲器技術升級項目，90億布局前瞻技術研發項目。更重磅的還有它“藏在詞條之間”的技術戰略——包括12層堆疊HBM的大規模生產，以及HBM3產品的2026年量產規劃。

從產能擴產看，長鑫科技目前已將月產能從10萬片猛烈拉升至20萬片以上，并定下2026年挑戰35萬到40萬片的新天花板目標。若實現，它在全球DRAM晶圓產能份額中的占比將進一步抬升。

更值得深挖的，是它對國產供應鏈的拉動效應。長鑫科技擴產帶動的不僅是存儲芯片本身，還有國產半導體設備、材料和零部件廠商的歷史性機遇。據產業鏈人士透露，長鑫科技當前的國產設備整體占比已達四至五成。不過，各環節進展并不均衡——CMP與清洗設備國產化率較高，刻蝕與薄膜沉積正處于快速滲透期，而量測檢測與涂膠顯影環節仍是薄弱地帶。

面對全球缺貨預期延續至2027年的背景，一旦國產供應鏈完成覆蓋刻蝕、沉積、量測、涂膠顯影等環節的全線攻堅，長鑫科技整體國產設備占比超過50%并非遙不可及。

暴賺之后，還有三場“長跑”等著它

數錢的日子固然美好，但長鑫科技真正的考驗才剛剛開始。

第一道坎是全球存儲芯片市場的“周期性陷阱”。當前DRAM正處于罕見的歷史級漲價潮，但存儲芯片的“暴漲后必有暴跌”的鐵律依然埋在行業周期深處。一旦供需關系逆轉，價格大跌的風險就會迅速浮出水面。

第二道坎是與國際巨頭的技術代差。長鑫存儲當前主流量產DRAM制程為16nm（D1z），最高速率為8000Mbps；相比SK海力士的10nm（D1a/1β）和14400Mbps的頂尖速率，仍有明顯距離。在HBM高帶寬內存領域，這一差距更是長達五年之久——長鑫剛剛實現HBM2量產，而三星、SK海力士已大舉推進到HBM4時代。追趕之路依然漫長。

第三道坎是國產上游設備的依賴困境。量產線上的刻蝕、沉積和量測設備仍有大量依賴進口。國產廠商在刻蝕、薄膜沉積領域逐漸突破，但涂膠顯影、量測檢測等環節仍是被“卡脖子”的核心高風險區。設備自主化若無法在“十五五”期間實質性躍升，長鑫的擴產成本和擴產速度都將面臨不可忽視的制約。

長鑫科技的IPO過會，寫在數字里的是一場華麗的逆襲；寫在技術路徑上的，是一場遠未到終點的長跑。

從全球DRAM份額的“無名之輩”到躋身全球第四，它只用了幾年時間。從月產能10萬片猛沖至20萬片以上，它比所有三星海力士的韓國分析師們都更拼。把AI算力需求的紅利從GPU賽道完美傳導至DRAM存力賽道，它替中國存儲芯片產業找到了一個歷史級的“突圍窗口”。

但長鑫科技的下一步，不在賬面上零存整取的凈利潤中，也不在K線圖的漂亮走勢里。它的真正命門，始終握在刻蝕腔的深度、薄膜沉積的精度和涂膠顯影的效率中。

數字可以造假，技術不會騙人。 當全球DRAM產能的“滾雪球”仍在加速滾動，真正的勝局，取決于中國半導體產業鏈上所有企業協同奔跑的速度。超級周期會退潮，技術代差會縮小，設備國產化會突破。當這些變量一一兌現，中國存儲芯片才真正稱得上“翻身”。