廣東
5月29日，三星電子宣布首次向全球客戶提供最新一代高頻寬內(nèi)存——12層堆疊的HBM4E樣品，該芯片將成為下一代人工智能加速器的核心，將有望鞏固其在 HBM 市場的領(lǐng)先地位。
據(jù)介紹，三星電子的HBM4E采用了基于前代 HBM4 中已驗證的最先進工藝的 1c（10nm 級第六代）DRAM 和其自有代工廠的 4nm 邏輯芯片。經(jīng)評估，它通過最大限度地提高超精細工藝的穩(wěn)定性，同時確保良率和大規(guī)模生產(chǎn)能力，建立了競爭對手難以企及的壓倒性準入壁壘。
在存儲性能方面，該HBM4E通過設(shè)計和工藝優(yōu)化，實現(xiàn)了無與倫比的規(guī)格。它支持每引腳14Gbps至最高16Gbps的運行速度，與上一代HBM4相比，速度提升超過20%。此外，它以單個堆棧為單位提供每秒 3.6 TB（太字節(jié)）的帶寬，最大限度地提高了大規(guī)模語言模型 (LLM) 和下一代 AI 系統(tǒng)的計算速度。
在容量方面，HBM4E 12層產(chǎn)品實現(xiàn)了48GB（千兆字節(jié)）的高容量，比上一代產(chǎn)品提升了30%以上。三星電子正在計劃無縫擴展產(chǎn)品線，推出32GB（8層）和64GB（16層）產(chǎn)品，以滿足客戶多樣化的業(yè)務(wù)環(huán)境需求。
此外，通過集成低功耗設(shè)計和封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)，與之前的型號相比，HBM4E的能源效率顯著提高了 16%，熱阻提高了 14% 以上。過徹底解決高負載人工智能計算環(huán)境中的關(guān)鍵發(fā)熱問題，它保證了產(chǎn)品的長期可靠性，并有效地為降低全球數(shù)據(jù)中心的能耗提供了突破性的解決方案。
三星電子計劃以此次HBM4E樣品供應(yīng)為起點，按照客戶的進度安排進行批量生產(chǎn)。三星電子計劃憑借全球唯一的“一站式交鑰匙解決方案”（涵蓋存儲器、晶圓代工、系統(tǒng)LSI和先進封裝），確保無缺陷的穩(wěn)定供應(yīng)。
三星電子存儲器事業(yè)部開發(fā)副總裁黃相俊強調(diào)：“通過成功完成HBM4的量產(chǎn)和下一代HBM4E樣品的無縫供應(yīng)，我們已在市場上牢牢確立了三星電子無可匹敵的技術(shù)領(lǐng)先地位。”他補充道：“展望未來，我們將憑借壓倒性的技術(shù)優(yōu)勢和對生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施的先發(fā)制人投資，大力引領(lǐng)全球人工智能存儲器市場的增長。”
與此同時，三星電子也在擴大 HBM4 的量產(chǎn)供應(yīng)，HBM4 是世界上第一款量產(chǎn)并于今年 2月出貨的芯片。三星電子表示，全球客戶對三星HBM4的速度和能效給予了積極評價。去年12月，三星電子的HBM4在系統(tǒng)級封裝（SiP）測試（最終認證階段）中展現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的11.7Gbps速度，獲得了最高評級。
編輯：芯智訊-浪客劍
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