從“周期大宗商品”到“戰略核心資產”，摩根大通：本輪存儲超級周期將“更高、更長”

AI需求從GPU向CPU全面擴散，正在重塑全球存儲芯片行業的基本面邏輯。

據追風交易臺，摩根大通在最新研究報告中大幅上調全球存儲市場規模預測，并維持對該板塊的多年期看多立場，認為存儲芯片正從傳統的周期性大宗商品向AI基礎設施的戰略核心資產轉型。

摩根大通將2026至2028年全球存儲市場總規模（TAM）預測較3月模型上調37%至53%，預計2028年TAM將達1.7萬億美元。其中DRAM市場收入預計從2025年的1430億美元躍升至2026年的6360億美元，再于2028年達到1.237萬億美元；NAND市場收入同期預計從710億美元增至4545億美元。

摩根大通預計，供需缺口將在2027年進一步擴大，理論上為DRAM及NAND價格提供額外上行空間，但長期協議（LTA）合同銷售占比的提升將令價格走勢趨于穩定。

上述預測的核心驅動力在于：CPU算力需求的爆發式增長為原本以GPU為主導的AI存儲需求敘事注入了新變量，而存儲芯片在云服務商（CSP）硬件資本開支中的價值占比已從AI浪潮初期的十幾個百分點攀升至今年預計超過50%。摩根大通指出，這一結構性轉變正推動市場重新審視存儲股的估值框架。

CPU需求爆發，存儲需求驅動力全面拓寬

摩根大通報告指出，AI算力需求正從GPU向CPU加速擴散，成為本輪存儲上行周期的最新催化劑。1Q26財報季的最大超預期之處，正是CPU需求的強勁表現——CPU承擔著AGI系統中任務編排、狀態管理及API執行等關鍵控制層功能。

具體來看，NVDA指引2026年獨立Vera CPU銷售額達200億美元；AMD將服務器CPU市場規模增速預測從此前的18%大幅上調至每年35%以上，預計到2030年市場規模將達1200億美元；INTC則預計CPU與GPU的配比將從約1:8收窄至1:4，并暗示隨著智能體AI計算需求持續增長，兩者最終將趨于平衡。

從存儲行業視角看，GPU與CPU的配比持續下降——從2023年的5.4:1降至2025年的3.2:1，摩根大通預計2028年將進一步收窄至2.4:1——這一趨勢將顯著拉動AI服務器內存需求。摩根大通將2026至2028年服務器內存需求預測上調5%至22%，并強調2027至2028年上調幅度中逾60%來自AI服務器（AI頭節點及AI獨立CPU）需求的增量貢獻。據此，AI服務器內存需求（不含HBM）在2027至2028年將占DRAM總需求的30%以上，而此前預測僅為14%。

HBM供需持續偏緊，ASP上行空間打開

高帶寬內存（HBM）市場的供需格局同樣持續收緊。摩根大通將2026至2028年HBM市場規模預測上調17%至21%，預計HBM供需缺口將貫穿整個2028年，缺口比例維持在兩位數百分比水平。

需求端，NVDA Blackwell GPU出貨量上調至2026/2027年的890萬/990萬顆（此前預測為750萬/760萬顆）；谷歌TPU單元假設上調至2026/2027年的450萬/800萬顆；亞馬遜Trainium出貨量亦有所上調。ASIC出貨量預計將于2027年超越商用GPU。

定價方面，摩根大通預計2027年混合HBM均價將同比上漲32%，創歷史新高，主要由HBM3E及HBM4價格分別上漲19%和15%驅動，而HBM4E因供應鏈極度緊張，定價較HBM3E溢價高達61%。HBM占DRAM晶圓產能的分配比例預計將從2026年的24%提升至2028年的31%，進一步加劇傳統DRAM的供需壓力。

三星方面，摩根大通將其在NVDA客戶中的HBM4市場份額上調至2026年約高十幾個百分點（HBM4相關錢包份額約31%），認為三星在HBM4認證進度上領先競爭對手，并已開始出貨12層48GB HBM4E樣品用于認證測試。

存儲成為CSP戰略資產，估值框架面臨重構

存儲芯片在AI計算體系中的戰略地位正發生根本性轉變。摩根大通援引Micron CEO的表態指出，存儲正在成為一種戰略資產，穩定采購對于AI服務的高速、高質量運營至關重要。

數據顯示，存儲在CSP硬件資本開支中的占比從AI浪潮初期的十幾個百分點大幅攀升，預計今年將超過50%，2030年有望達到73%。與此同時，摩根大通預計存儲行業營業利潤率將在2026至2028年穩定在75%至77%的歷史高位，遠超2025年的30%。

然而，摩根大通也坦承，存儲股目前仍以折價于盈利的估值水平交易，主要原因在于投資者對存儲價值份額能否持續提升存有疑慮。報告認為，更高的CSP硬件資本開支以及NVDA對2030年3至4萬億美元支出前景的更多佐證，將有助于緩解市場對存儲盈利可持續性的擔憂。摩根大通指出，AI已帶來全新的需求結構，傳統的周期性估值框架已不再適用，新的估值方法勢在必行。

企業級SSD引領NAND擴張，供給紀律支撐價格

NAND市場方面，企業級固態硬盤（eSSD）正成為市場擴張的核心驅動力。摩根大通預計2026年eSSD市場規模將超過500EB，占NAND總需求的43%，并預計未來兩年將以52%的復合年增長率擴張至逾1100EB。考慮到ASP溢價，eSSD價值TAM在未來兩年有望超過3000億美元，規模將超過HBM市場。

供給端，NAND資本開支仍低于歷史峰值水平，SLC需求的增加進一步支撐供需平衡。摩根大通預計NAND三年累計資本開支為860億美元，主要用于技術遷移，新建產能影響最早于2028年下半年顯現。相較DRAM，NAND在頭部廠商中的資本開支優先級相對較低，但已出現2029年新建產能項目的早期跡象。

資本開支加速，中國競爭格局持續演變

面對多年供需短缺前景，存儲廠商正加速擴大資本開支。

摩根大通預計未來三年全球存儲資本開支合計約4500億美元，較2025年12月模型的3000億美元大幅上調。

其中DRAM三年累計資本開支約3640億美元，60%的增量產能分配給HBM；NAND三年累計資本開支約860億美元。EUV設備采購及基礎設施建設是當前的主要瓶頸。

中國廠商方面，DRAM市場份額預計從2025年的6%提升至2028年的8%至11%，NAND市場份額從12%提升至12%至16%，產能擴張速度高于行業平均水平。

但受制于產品結構偏低端，價值份額增長空間有限，預計2028年DRAM及NAND價值份額分別約為10%和12%。