河南
快科技6月24日消息，在2026年VLSI研討會上，三星公布了面向2030年的V-NAND路線圖，核心方案是通過CMB技術將兩塊450層NAND晶圓鍵合為一體，構建900至1000層以上的堆疊結構。
MoreThanMoore的Ian Cutress博士指出，這一方案可將目前8TB QLC SSD的容量提升至32TB。
從三星展示的路線圖來看，NAND行業剛剛步入400層時代，2029年將實現420層，2030年突破560層，隨后在下一個十年初期沖擊1000層以上。
層數越堆越高帶來的首要挑戰是晶圓翹曲，層數越多，堆疊應力越大，晶圓在制造過程中容易發生彎曲變形，導致光刻對準失敗和良率驟降。
對此三星給出的解決方案是Upper Chuck Design，通過專用夾具控制晶圓翹曲，同時配合Overlay Correction技術修正層間對位誤差，為后續層數擴展留出空間。
然而單芯片繼續往上堆疊終究有物理極限，這正是三星選擇CMB方案的原因，將兩塊獨立的450層NAND芯片通過鍵合工藝拼接為一體，相當于繞過了單芯片堆疊的瓶頸，用拼接來實現900層以上的總層數。
不過目前這一技術仍處于原型階段，從原型到量產仍需解決鍵合精度、熱膨脹匹配和量產良率等工程問題。
在競爭格局方面，目前SK海力士以321層NAND領先行業，是首家實現量產的廠商，國產長江存儲的追趕速度同樣值得關注，長江目前已量產294層和232層NAND產品，正在大規模投資新建晶圓廠，計劃將晶圓產能翻倍。
在AI超周期導致存儲供需缺口持續擴大的背景下，長江存儲的擴產時機恰好卡在了市場最缺貨的窗口期。
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