山東
#5月·每日幸運簽#
2026 年 5 月 22 日，國際存儲行業權威媒體 Blocks&Files 報道，華為在巴黎 IDI Forum 2026 活動上展示自研 DoB 板上裸片封裝技術，已量產 61.44TB 和 122.88TB 兩款企業級 SSD，245TB 版本在規劃中，面向 AI 數據中心和海量存儲場景。這是華為在美國 3D NAND 芯片制裁下，通過封裝創新實現的關鍵突破。
華為因為被美國制裁，買不到國外最先進的3D NAND存儲芯片。三星、SK海力士這些廠商已經量產了400多層堆疊的芯片，單顆芯片容量很高。華為能拿到的國產芯片來自長江存儲，技術也很好，做到232層，但和國際最前沿的400多層相比，單顆芯片的存儲密度大約只有一半。如果按傳統方式做SSD，華為用232層的芯片去拼400多層的芯片，同樣數量的芯片，容量就會落后。
華為換了一個思路。傳統SSD是把每一顆NAND芯片先封裝好，封裝外殼占地方，然后在電路板上疊放這些帶外殼的芯片，最多也就能疊16層左右。華為的做法是直接去掉封裝外殼，把裸芯片直接焊在電路板上。這叫“板上裸片封裝”。這樣一來，沒有外殼占空間，同樣大小的電路板上可以塞進更多的裸芯片。而且裸芯片之間可以直接堆疊，突破了16層的限制，做到了36層堆疊。堆疊密度提升了33%。
用這個辦法，華為用國產232層芯片，造出了122.88TB的SSD。這個容量可以和用了最先進400多層芯片的國際大廠產品正面競爭。當然，去掉封裝也帶來了新問題，裸芯片散熱和信號傳輸更難處理，華為專門投入團隊解決了這些工程難題。這款SSD已經用在華為的企業級存儲產品里，比如OceanDisk 1800系列，在巴黎的科技展上展示過。
有國外網友評論說，美國的制裁怎么老是自己打臉。國內網友說華為像個打不死的小強，總是在極限里找到出路。也有用戶關心這種技術什么時候能用到普通消費者的電腦上。
有分析認為，這件事真正的價值不在于一塊硬盤的容量，而在于它證明了一條路：當你在核心元件上暫時追不上對手時，可以在系統集成和封裝上創新，用更聰明的組合方式彌補單個元件的差距。這對中國半導體產業來說是一個很重要的啟發。
存儲行業分析師指出，DoB 技術不是替代 3D NAND，而是在制裁約束下的最優解，短期內解決大容量存儲供給問題，為國產 NAND 成長爭取時間。半導體專家認為，封裝創新是中國半導體產業突破制裁的重要方向，華為驗證了 “芯片受限、封裝補位” 的可行性，帶動國內封測技術升級。但專家提醒，長期仍需提升國產 3D NAND 層數和良率，封裝創新只能緩解，不能根本解決芯片短板。
華為 122TB SSD 的意義，遠超一款產品本身。它打破高端存儲的技術壟斷，證明外部封鎖無法阻止中國科技企業進步，反而倒逼出差異化創新路徑。DoB 技術不僅解決華為自身困境，更為國內同類企業提供借鑒，推動半導體產業從單一芯片競爭，轉向封裝、集成、固件優化的全鏈條競爭。這種被逼出來的創新，正是中國科技產業突圍的核心動力。
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