高盛加入“AI瓶頸交易”：MLCC是新存儲(chǔ)，已成AI服務(wù)器GPU和內(nèi)存后“第三大成本”

高盛認(rèn)為，由AI驅(qū)動(dòng)的多層陶瓷電容器（MLCC），將是該行業(yè)有史以來(lái)規(guī)模最大、持續(xù)時(shí)間最長(zhǎng)的一次。

近期，高盛在多份研究報(bào)告中指出，多層陶瓷電容器已躍升為AI服務(wù)器物料清單中，繼GPU和內(nèi)存之后的第三大成本項(xiàng)。

與此同時(shí)，村田制作所（Murata）已于4月1日起，將AI服務(wù)器相關(guān)的多層陶瓷電容器產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)15%至35%，太陽(yáng)誘電（Taiyo Yuden）亦宣布于5月起對(duì)部分產(chǎn)品線實(shí)施提價(jià)。

高盛估算，若平均價(jià)格上漲5%，將分別帶動(dòng)村田和太陽(yáng)誘電2027財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)提升約13%和37%。

對(duì)市場(chǎng)而言，這意味著多層陶瓷電容器供應(yīng)鏈，正在復(fù)制此前內(nèi)存板塊的價(jià)格上行路徑。

多層陶瓷電容器MLCC，從配角到AI服務(wù)器"第三大成本項(xiàng)"

以英偉達(dá)最新一代Vera Rubin服務(wù)器機(jī)架為例，VR200機(jī)架的MLCC用量約合4,300美元，較GB300機(jī)架的約1,500美元大幅提升。

高盛預(yù)計(jì)，AI服務(wù)器的多層陶瓷電容器市場(chǎng)規(guī)模將從2025財(cái)年起至2030財(cái)年增長(zhǎng)約4.3倍，年復(fù)合增速達(dá)約34%，市場(chǎng)規(guī)模從約215億日元擴(kuò)張至約9,200億日元。

多層陶瓷電容器本質(zhì)上是一種超小型、超快速的電荷存儲(chǔ)與釋放元件。

在AI服務(wù)器中，當(dāng)GPU等加速芯片在微秒級(jí)時(shí)間內(nèi)驟然拉升或驟降電力需求時(shí)，電源系統(tǒng)的響應(yīng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及，而緊貼芯片旁側(cè)布置的多層陶瓷電容器，正是填補(bǔ)這一時(shí)間差的關(guān)鍵。

它同時(shí)承擔(dān)兩項(xiàng)職能：平滑電力供應(yīng)中的瞬時(shí)波動(dòng)，以及過(guò)濾可能損壞數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的電氣噪聲。

隨著AI芯片算力密度持續(xù)攀升，對(duì)多層陶瓷電容器的需求正在兩個(gè)維度上同步擴(kuò)張。

一方面，GPU功耗的急劇增加要求更高的電容量，電容量與功耗之間存在正相關(guān)性。

另一方面，加速器板的物理空間有限，迫使設(shè)計(jì)向"小尺寸、高電容"的高附加值多層陶瓷電容器遷移。

此外，電源供應(yīng)單元（PSU）周邊亦需大量部署高壓大容量多層陶瓷電容器。

產(chǎn)能天花板與價(jià)格上行，供需錯(cuò)配已然形成

與內(nèi)存不同，多層陶瓷電容器行業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)張存在內(nèi)在約束。

據(jù)高盛分析師Allen Chang指出，多層陶瓷電容器生產(chǎn)所需的設(shè)備和原材料均以自產(chǎn)為主，擴(kuò)產(chǎn)速度受限于內(nèi)部工程資源，行業(yè)年產(chǎn)能增速上限僅略高于10%。

這一結(jié)構(gòu)性制約意味著，若AI服務(wù)器對(duì)多層陶瓷電容器需求的增速，持續(xù)遠(yuǎn)超行業(yè)整體擴(kuò)產(chǎn)能力，供需錯(cuò)配將呈現(xiàn)系統(tǒng)性擴(kuò)張?zhí)卣鳌?/p>

價(jià)格信號(hào)已經(jīng)印證這一判斷。

日本財(cái)務(wù)省5月28日公布的4月貿(mào)易統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，多層陶瓷電容器平均出口價(jià)格環(huán)比上漲3%，出口量環(huán)比增長(zhǎng)7%，出口額環(huán)比增長(zhǎng)9%。同比來(lái)看，上述三項(xiàng)指標(biāo)分別大幅增長(zhǎng)16%、10%和28%。

與此同時(shí)，低電容及消費(fèi)類多層陶瓷電容器的現(xiàn)貨及分銷(xiāo)商價(jià)格，已因囤貨和重復(fù)下單而上漲20%至40%。

目前，高端多層陶瓷電容器（高電容、高電壓）的交貨期已超過(guò)20周。盡管OEM合同價(jià)尚未出現(xiàn)大幅上調(diào)，但行業(yè)整體定價(jià)壓力已顯著上行。

高盛將2026年同類產(chǎn)品價(jià)格變動(dòng)預(yù)期，從此前的約0%上調(diào)至最高5%，并認(rèn)為未來(lái)上行空間仍可能進(jìn)一步擴(kuò)大。

此外，高鎳、高銀等原材料價(jià)格上漲，正對(duì)全品類多層陶瓷電容器的成本端形成壓力，進(jìn)一步支撐價(jià)格上行邏輯。

三強(qiáng)主導(dǎo)，技術(shù)門(mén)檻構(gòu)筑護(hù)城河

在AI服務(wù)器所需的多層陶瓷電容器領(lǐng)域，市場(chǎng)準(zhǔn)入門(mén)檻極高。

高盛指出，目前具備相關(guān)技術(shù)能力的供應(yīng)商僅有村田制作所、三星電機(jī)（SEMCO）和太陽(yáng)誘電三家。

三者在GPU/ASIC周邊低壓高容量MLCC的小型化與高容量化方面持續(xù)推進(jìn)，技術(shù)要求日趨嚴(yán)苛，具備完整的受益路徑。

日本TDK電子目前尚不具備進(jìn)入該細(xì)分市場(chǎng)的技術(shù)，仍在等待與日本化學(xué)工業(yè)合作推進(jìn)的材料開(kāi)發(fā)。

但TDK電子在電源回路周邊高壓大容量MLCC領(lǐng)域接單旺盛，產(chǎn)品技術(shù)與汽車(chē)（含電動(dòng)汽車(chē)）應(yīng)用高度重疊，有望帶動(dòng)工廠開(kāi)工率提升。高盛對(duì)TDK電子同樣維持買(mǎi)入評(píng)級(jí)。

中國(guó)臺(tái)灣和大陸的制造商亦開(kāi)始嶄露頭角。高盛將國(guó)巨（Yageo）、風(fēng)華高科及三環(huán)集團(tuán)列為新興前沿受益標(biāo)的。

此外，高盛MLCC亞洲股票籃子，涵蓋日本、韓國(guó)及中國(guó)A股的核心產(chǎn)業(yè)鏈標(biāo)的，橫跨純粹制造商、多元化被動(dòng)元件生產(chǎn)商及上游材料供應(yīng)商，近期已開(kāi)始走強(qiáng)，但相較于其他AI熱門(mén)主題仍存在明顯的滯后補(bǔ)漲空間。

"我們?nèi)蕴幱谥芷谠缙?

高盛分析師Daiki Takayama在近期與村田制作所CEO會(huì)面后總結(jié)認(rèn)為，村田"仍處于成長(zhǎng)階段的早期"。

Peter Slater則在其5月的報(bào)告中指出，隨著AI服務(wù)器功耗需求持續(xù)攀升，對(duì)更大電容量的需求將不斷上升，多層陶瓷電容器供需有望趨于100%利用率。

值得關(guān)注的是，盡管來(lái)自AI服務(wù)器和汽車(chē)應(yīng)用的需求維持強(qiáng)勁，智能手機(jī)和PC等傳統(tǒng)下游客戶也開(kāi)始積極尋求長(zhǎng)期采購(gòu)合同，此舉源于對(duì)多層陶瓷電容器產(chǎn)能被AI服務(wù)器大量占用。

高盛指出，此前內(nèi)存DRAM和NAND的價(jià)格劇烈上漲，始于市場(chǎng)聚焦到內(nèi)存作為AI超級(jí)周期瓶頸之時(shí)。

如今，同樣的邏輯正在多層陶瓷電容器行業(yè)上演，但與內(nèi)存不同，多層陶瓷電容器的價(jià)格上行之旅幾乎才剛剛開(kāi)始。

?星標(biāo)華爾街見(jiàn)聞Max，好內(nèi)容不錯(cuò)過(guò)?

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