河南
快科技5月31日消息，據(jù)媒體報道，臺積電近日在公開場合表示，從智能手機制造商到AI數(shù)據(jù)中心運營商，客戶越來越重視能夠最大限度降低額外能耗的性能提升。
這一變化也反映在臺積電的制程技術(shù)規(guī)劃中。預(yù)計即將到來的A14工藝相比N2工藝，性能可提升20%以上，同時功耗降低30%。
A14將采用第二代GAA晶體管，并借助NanoFlex Pro技術(shù)進(jìn)一步提高設(shè)計靈活性。該工藝預(yù)計于2027年末進(jìn)行試生產(chǎn)，2028年實現(xiàn)量產(chǎn)。
不過，首發(fā)的A14制程工藝不支持"超級電軌"（Super Power Rail，SPR）背面供電架構(gòu)。臺積電計劃在2029年推出加入背面供電的版本，以滿足高性能客戶端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的需求。
盡管晶體管密度提升仍是臺積電發(fā)展路線圖的核心，但先進(jìn)封裝、芯片堆棧以及光子技術(shù)等在推動效率提升過程中的重要性日益凸顯。
從臺積電規(guī)劃的A13和A12工藝來看，提升能效已成為下一代AI芯片比持續(xù)縮小晶體管尺寸更為緊迫的優(yōu)先事項。
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