快科技6月23日消息,據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)SigmaIntell最新報(bào)告,由于內(nèi)存供需嚴(yán)重失衡,今年第二季度消費(fèi)級(jí)DRAM價(jià)格全面暴漲,其中LPDDR4X 4GB產(chǎn)品季度環(huán)比上漲75%,LPDDR5X 12GB產(chǎn)品漲幅更是高達(dá)89%。
此番漲價(jià)的根源在于NVIDIA下一代AI計(jì)算平臺(tái)Vera Rubin等服務(wù)器GPU的廣泛應(yīng)用,LPDDR內(nèi)存的供應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)被進(jìn)一步激化。
內(nèi)存制造商順勢(shì)將漲價(jià)范圍從企業(yè)級(jí)產(chǎn)品擴(kuò)大至智能手機(jī)和PC所用的消費(fèi)級(jí)內(nèi)存,部分客戶已接受新的定價(jià),市場(chǎng)價(jià)格已充分反映出這一變化。
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二季度生產(chǎn)端明顯優(yōu)先側(cè)重HBM、服務(wù)器DRAM和eSSD等高附加值產(chǎn)品,消費(fèi)級(jí)內(nèi)存供應(yīng)因此出現(xiàn)短缺,同時(shí)受成本壓力影響,部分智能手機(jī)和PC品牌正在調(diào)整內(nèi)存訂單。
所以下半年DRAM價(jià)格上漲速度可能有所放緩,其中低端產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將明顯慢于中高端產(chǎn)品。
半導(dǎo)體晶圓資源正集中向高帶寬內(nèi)存HBM傾斜,消費(fèi)級(jí)DRAM產(chǎn)能因此相對(duì)縮減,雖然HBM通過與客戶的年度合同維持穩(wěn)定價(jià)格,但供需失衡狀況仍十分嚴(yán)峻。
通用服務(wù)器DRAM也呈現(xiàn)全行業(yè)價(jià)格上升趨勢(shì),云公司持續(xù)加大DRAM庫(kù)存?zhèn)湄洠咒N庫(kù)存目前維持在兩到三周的低位。
NAND市場(chǎng)在二季度同樣延續(xù)漲勢(shì),SSD價(jià)格季度環(huán)比上漲約50%,企業(yè)級(jí)NAND產(chǎn)品無論市場(chǎng)價(jià)格如何波動(dòng)始終保持強(qiáng)勁,AI集群和AI代理服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展需求是主要驅(qū)動(dòng)力。
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UFS價(jià)格最高漲幅達(dá)100%,原因是企業(yè)SSD需求擴(kuò)大引發(fā)供應(yīng)短缺,并進(jìn)一步蔓延至移動(dòng)和PC NAND市場(chǎng)。隨著低容量eMMC等低端NAND供應(yīng)減少,消費(fèi)級(jí)NAND的供需形勢(shì)同樣趨于緊張。
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