功率半導(dǎo)體十年將增5倍，SiC-GaN引領(lǐng)市場(chǎng)

近日，富士經(jīng)濟(jì)于2026年4月發(fā)布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告預(yù)測(cè)，隨著新一代功率半導(dǎo)體全面投入使用，該市場(chǎng)將從2030年左右開始顯著擴(kuò)張。到2035年，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到73495億日元，較2025年增長(zhǎng)95.7%。

在下一代功率半導(dǎo)體方面，碳化硅（SiC）功率模塊市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至18749億日元，增長(zhǎng)5.3倍；氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至3169億日元，增長(zhǎng)5.4倍。

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)

預(yù)計(jì)到2035年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到73495億日元。其中，硅（Si）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到48418億日元，下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到25077億日元。2025年，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為37550億日元，其中硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為32182億日元，下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為5368億日元。這表明，未來(lái)十年，下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)顯著增長(zhǎng)。

據(jù)富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)，2025年硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將因電子設(shè)備制造商的庫(kù)存調(diào)整以及消費(fèi)電子產(chǎn)品和信息通信設(shè)備需求的增長(zhǎng)而增長(zhǎng)。另一方面，歐洲、美國(guó)和日本的功率半導(dǎo)體制造商則受到電動(dòng)汽車市場(chǎng)停滯不前的顯著影響。

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)

預(yù)計(jì)碳化硅的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將加劇

在下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率模塊的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2025年的3506億日元增長(zhǎng)到2035年的1.8749萬(wàn)億日元。電動(dòng)汽車牽引逆變器對(duì)SiC功率模塊的需求旺盛，預(yù)計(jì)其在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用將持續(xù)增長(zhǎng)。到2035年，預(yù)計(jì)約70%的電動(dòng)汽車將配備基于SiC的牽引逆變器。在鐵路和能源領(lǐng)域，SiC功率模塊在大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)（ESS）和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)功率調(diào)節(jié)器中的應(yīng)用也將顯著擴(kuò)大。

另一方面，來(lái)自中國(guó)制造商的新進(jìn)入者數(shù)量不斷增加，預(yù)計(jì)將加劇價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。

氮化鎵技術(shù)正在汽車和服務(wù)器領(lǐng)域迅速發(fā)展

預(yù)計(jì)到 2025 年，GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 585 億日元，到 2035 年將增長(zhǎng)至 3169 億日元。未來(lái)，GaN 的應(yīng)用預(yù)計(jì)將在車載充電器、激光雷達(dá)、服務(wù)器機(jī)架電源以及人形機(jī)器人和無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。

氧化鎵市場(chǎng)形成開始

2025 年氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模很小，但預(yù)計(jì)到 2035 年將增長(zhǎng)至 149 億日元。

氧化鎵功率半導(dǎo)體主要分為兩類：一類用于肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），即高速整流二極管；另一類用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），即高速開關(guān)晶體管。在日本，F(xiàn)LOSFIA公司于2025年12月完成了其4英寸氧化鎵晶圓制造技術(shù)的演示。該公司還宣布，使用原型SBD驗(yàn)證了產(chǎn)品可靠性的提升。

富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)，用于白色家電和服務(wù)器機(jī)架電源的600V小梁網(wǎng)二極管（SBD）將于2027年左右開始量產(chǎn)，屆時(shí)市場(chǎng)將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。盡管由于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體成本的下降，氧化鎵功率半導(dǎo)體的成本優(yōu)勢(shì)正在減弱，但富士經(jīng)濟(jì)預(yù)計(jì)，一旦開始量產(chǎn)，鑒于氧化鎵功率半導(dǎo)體具有耐高壓等優(yōu)勢(shì)，其應(yīng)用將會(huì)更加廣泛。

預(yù)計(jì)到2030年左右，F(xiàn)ET將開始大規(guī)模生產(chǎn)，主要面向工業(yè)和能源領(lǐng)域，這些領(lǐng)域的需求量將大于SBD。FET的應(yīng)用將首先應(yīng)用于大型太陽(yáng)能發(fā)電廠的電源調(diào)節(jié)器和兆瓦級(jí)充電器，未來(lái)有望擴(kuò)展到汽車和電子領(lǐng)域。

全球功率半導(dǎo)體制造設(shè)備/元件市場(chǎng)

受功率半導(dǎo)體市場(chǎng)整體低迷的影響，晶圓、光刻膠、焊料、封裝材料和鍵合材料等功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)增速放緩。硅晶圓需求同比略有增長(zhǎng)，中國(guó)市場(chǎng)對(duì)前端材料的需求依然強(qiáng)勁，但歐美市場(chǎng)需求有所下降。后端材料需求疲軟，尤其是在汽車和電子應(yīng)用領(lǐng)域。預(yù)計(jì)從2026年起，在功率半導(dǎo)體需求復(fù)蘇的推動(dòng)下，市場(chǎng)將開始擴(kuò)張。市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)到5967億日元，2029年將達(dá)到1萬(wàn)億日元，2035年將達(dá)到1.806萬(wàn)億日元。

全球功率半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2025年的6735億日元增長(zhǎng)至2035年的1.3627萬(wàn)億日元，翻一番。2025年，由于電動(dòng)汽車市場(chǎng)低迷導(dǎo)致汽車相關(guān)資本投資減少，以及對(duì)2024年之前過(guò)度投資的反彈，該市場(chǎng)出現(xiàn)顯著萎縮。預(yù)計(jì)從2026年開始，此前被推遲的資本投資將恢復(fù)，從而帶動(dòng)市場(chǎng)復(fù)蘇，尤其是在前端工藝設(shè)備方面。預(yù)計(jì)到2035年，8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線設(shè)備的投資增加，以及汽車/電子行業(yè)檢測(cè)測(cè)試設(shè)備和芯片外觀檢測(cè)設(shè)備的廣泛應(yīng)用，將推動(dòng)市場(chǎng)擴(kuò)張。