廣東
5月25日消息，據外媒Wccftech報導，摩根大通（JPMorgan）近日發布研究報告指出，美光全球運營執行副總裁Manish Bhatia在波士頓舉行的“第54屆摩根大通全球科技、媒體與通信年會”（TMC）上指出，由于高性能內存芯片能顯著提升AI模型的計算性能，預期整個內存市場的供給吃緊狀態將延續到2026年之后的。
Manish Bhatia表示指出，在AI應用需求的推波助瀾下，其“1-gamma（1-γ）”制程正按計劃推進，預計在2026年年中成為產量主力，如果以總晶圓出貨量來計算（total-wafer out basis），將成為公司史上產量最高的DRAM制程。主要用于AI GPU的HBM所需的DRAM，通過這DRAM進行垂直堆疊，然后封裝整顆芯片。美光表示，會持續將極紫外光（EUV）光刻技術，與1-gamma內存生產線深度整合。
在產量方面，美光透露，受益于AI強勁需求，HBM4的產能爬坡（ramping up）速度，比之前的HBM3/HBM3E快上兩倍，且良率改善的速度也更為迅速。
美光將HBM4 產能得以加速推進歸功于三大因素，首先是從過去量產HBM3 及HBM3E 產品中所累積的營運經驗與學習效應；其次，HBM4 的核心芯粒（core dies）采用了美光目前主力的10nm級第五代1-beta (1β) 制程，該制程的效能與良率已證實相當穩定；第三，則是美光內部最佳化的基礎芯片（base die），通過將1β DRAM 與內部自制的基礎芯片結合，成功將產品的品質與性能最大化。
另外，對于下一代的HBM4E內存，Manish Bhatia 表示，HBM4E 的開發進展順利，預期2027 年正式啟動產能爬坡，其首款樣品將采用1-gamma制程制造的DRAM模塊。其中在核心芯粒方面，將改采10nm級第六代1-gamma (1γ) 制程生產，這也是美光首個采用ASML 極紫外光（EUV）設備的制程節點，技術層級相當于對手三星和SK海力士的1c DRAM制程。而在基礎芯片方面，美光將不再由內部制造，而是轉交由晶圓代工伙伴臺積電負責生產。
首批量產的HBM4E內存將是JEDEC 標準產品，同時美光也在籌備針對客戶需求量身打造的定制化產品。雖然定制化版本的成本較高，但憑借其提升的效能與額外附加功能，美光預期客戶需求將非常強勁。
在市場競爭方面，三星電子與SK 海力士同樣正運用各自的1c DRAM制程積極開發HBM4E。三星計劃于2026 年第二季出貨首批HBM4E 樣品，其基礎晶片將采用三星自家晶圓代工廠的4nm制程制造。 SK 海力士則目標在2026 年下半年向客戶提供樣品，并于2027 年展開量產，其基礎芯粒據傳也將采用臺積電的3nm制程生產。
美光還指出，AI上下文窗口（context windows）擴大、加上推理工作負載增加，讓公司得以擴大固態硬盤（SSD）市場的市占率。
美光認為，由于HBM、NAND和DRAM芯片的產能難以在短時間內拉高，因此這種供不應求的局面預計會維持好一段時間。
摩根大通也進一步分析稱，隨著內存技術持續演進，其性能提升的幅度開始放緩，且下一代HBM的芯粒尺寸（die sizes）變得更大。此外，EUV技術在最新DRAM的制造過程中，也扮演著舉足輕重的角色。
編輯：芯智訊-浪客劍
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
